Антава

IXYS

Транзистор IXTP3N50D2

IXTP3N50D2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500V
Drain current
3A
Power dissipation
125W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTP3N50D2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500V
Drain current3A
Power dissipation125W
КорпусTO220AB
On-state resistance1.5Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge1.07µC
Kind of packagetube
Kind of channeldepletion
Reverse recovery time24ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 125W; TO220AB; 24ns

Документация

Документ производителя