Антава

IXYS

Транзистор IXTP3N120

IXTP3N120
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2kV
Drain current
3A
Power dissipation
200W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTP3N120
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current3A
Power dissipation200W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20V
On-state resistance4.5Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge42nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time700ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns

Документация

Документ производителя