Антава

IXYS

Транзистор IXTP3N100D2

IXTP3N100D2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
3 A
Power dissipation
125 W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 149 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%997,23 ₽

Сумма · с НДС 22%997,23 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1997,23 ₽
от 10735,10 ₽
от 25681,92 ₽
от 50643,93 ₽
от 100605,94 ₽
от 250556,55 ₽
от 300547,05 ₽
от 500518,56 ₽
от 750495,77 ₽
от 1000482,47 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXTP3N100D2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1 kV
Drain current3 A
Power dissipation125 W
КорпусTO220AB
On-state resistance5.5 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge1.02µC
Kind of packagetube
Kind of channeldepletion
Reverse recovery time17ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 17ns

Документация

Документ производителя