Антава

IXYS

Транзистор IXTP36N30P

IXTP36N30P
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
PolarHT™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
300V
Drain current
36A
Power dissipation
300W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTP36N30P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPolarHT™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage300V
Drain current36A
Power dissipation300W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.11Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge70nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time250ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO220AB

Документация

Документ производителя