Антава

IXYS

Транзистор IXTP32P20T

IXTP32P20T
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-200 V
Drain current
-32 A
Рассеиваемая мощность
300 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 240 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%2 068,37 ₽

Сумма · с НДС 22%2 068,37 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 12 068,37 ₽
от 51 665,88 ₽
от 101 178,57 ₽
от 501 113,60 ₽
от 1001 090,13 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXTP32P20T
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-200 V
Drain current-32 A
Рассеиваемая мощность300 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±15 V
On-state resistance0.13 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge185nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time190ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -32A; 300W; 190ns

Документация

Документ производителя