IXYS
Транзистор IXTP32P05T
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Технология
- TrenchP™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -50 V
- Drain current
- -32 A
- Рассеиваемая мощность
- 83 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 11 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%726,15 ₽
Сумма · с НДС 22%726,15 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 726,15 ₽ | |
| от 10 | 488,31 ₽ | |
| от 25 | 414,43 ₽ | |
| от 50 | 369,38 ₽ | |
| от 100 | 333,35 ₽ | |
| от 250 | 299,11 ₽ | |
| от 300 | 293,70 ₽ | |
| от 500 | 279,29 ₽ | |
| от 1250 | 266,68 ₽ | |
| от 5000 | 252,26 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IXTP32P05T |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Технология | TrenchP™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -50 V |
| Drain current | -32 A |
| Рассеиваемая мощность | 83 W |
| Корпус | TO220AB |
| Gate-source voltage | ±15 V |
| On-state resistance | 39 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 46nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
| Reverse recovery time | 26ns |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -32A; 83W; TO220AB
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.