Антава

IXYS

Транзистор IXTP32N65X

IXTP32N65X
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
32 A
Power dissipation
500 W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTP32N65X
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current32 A
Power dissipation500 W
КорпусTO220AB
On-state resistance135 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge54nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesultra junction x-class
Reverse recovery time400ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO220AB; 400ns

Документация

Документ производителя