Антава

IXYS

Транзистор IXTP30N25L2

IXTP30N25L2
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
250V
Drain current
30A
Power dissipation
355W
Корпус
TO220-3
Gate-source voltage
20V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTP30N25L2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage250V
Drain current30A
Power dissipation355W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage20V
On-state resistance0.14Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge130nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time315ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 250V; 30A; 355W; TO220-3; 315ns

Документация

Документы пока не предоставлены.