Антава

IXYS

Транзистор IXTP300N04T2

IXTP300N04T2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
300 A
Power dissipation
480 W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTP300N04T2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current300 A
Power dissipation480 W
КорпусTO220AB
On-state resistance2.5 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge145nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time53ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; 480W; TO220AB; 53ns

Документация

Документ производителя