Антава

IXYS

Транзистор IXTP2R4N120P

IXTP2R4N120P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Polar™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
2.4 A
Pulsed drain current
6 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки у поставщиков.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTP2R4N120P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPolar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current2.4 A
Pulsed drain current6 A
Power dissipation125 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance7.5 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge37nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time920ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W

Документация

Документ производителя