Антава

IXYS

Транзистор IXTP2N100P

IXTP2N100P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
2 A
Power dissipation
86 W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTP2N100P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1 kV
Drain current2 A
Power dissipation86 W
КорпусTO220AB
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time800ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO220AB; 800ns

Документация

Документ производителя