Антава

IXYS

Транзистор IXTP26P10T

IXTP26P10T
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
TrenchP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100V
Drain current
-26A
Power dissipation
150W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTP26P10T
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrenchP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100V
Drain current-26A
Power dissipation150W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±15V
On-state resistance90mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge52nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time70ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; 70ns

Документация

Документ производителя