Антава

IXYS

Транзистор IXTP24P085T

IXTP24P085T
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-85 V
Drain current
-24 A
Power dissipation
83 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTP24P085T
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-85 V
Drain current-24 A
Power dissipation83 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±15 V
On-state resistance65 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge41nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time40ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -24A; 83W; TO220AB

Документация

Документ производителя