Антава

IXYS

Транзистор IXTP20N65X2M

IXTP20N65X2M
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
20A
Power dissipation
36W
Корпус
TO220FP
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTP20N65X2M
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current20A
Power dissipation36W
КорпусTO220FP
On-state resistance0.185Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge27nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesultra junction x-class
Reverse recovery time0.35µs
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 36W; TO220FP; 350ns

Документация

Документ производителя