Антава

IXYS

Транзистор IXTP200N055T2

IXTP200N055T2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
55 V
Drain current
200 A
Power dissipation
360 W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTP200N055T2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage55 V
Drain current200 A
Power dissipation360 W
КорпусTO220AB
On-state resistance4.2 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge109nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time49ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 200A; 360W; TO220AB; 49ns

Документация

Документ производителя