Антава

IXYS

Транзистор IXTP1R6N50D2

IXTP1R6N50D2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500V
Drain current
1.6A
Power dissipation
100W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTP1R6N50D2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500V
Drain current1.6A
Power dissipation100W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20V
On-state resistance2.3Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge23.7nC
Kind of packagetube
Kind of channeldepletion
Reverse recovery time400ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.6A; 100W; TO220AB; 400ns

Документация

Документ производителя