Антава

IXYS

Транзистор IXTP1R6N100D2

IXTP1R6N100D2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
1.6 A
Power dissipation
100 W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTP1R6N100D2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1 kV
Drain current1.6 A
Power dissipation100 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance10 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge645nC
Kind of packagetube
Kind of channeldepletion
Reverse recovery time11ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO220AB; 11ns

Документация

Документ производителя