Антава

IXYS

Транзистор IXTP18P10T

IXTP18P10T
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
TrenchP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100V
Drain current
-18A
Power dissipation
83W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTP18P10T
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrenchP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100V
Drain current-18A
Power dissipation83W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±15V
On-state resistance0.12Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge39nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time62ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO220AB

Документация

Документ производителя