Антава

IXYS

Транзистор IXTP170N075T2

IXTP170N075T2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
75V
Drain current
170A
Power dissipation
360W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTP170N075T2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage75V
Drain current170A
Power dissipation360W
КорпусTO220AB
On-state resistance5.4mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge109nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time63ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 360W; TO220AB; 63ns

Документация

Документ производителя