Антава

IXYS

Транзистор IXTP160N10T

IXTP160N10T
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
160 A
Power dissipation
430 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTP160N10T
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current160 A
Power dissipation430 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge132nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time60ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB

Документация

Документ производителя