Антава

IXYS

Транзистор IXTP160N04T2

IXTP160N04T2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
160 A
Power dissipation
250 W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTP160N04T2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current160 A
Power dissipation250 W
КорпусTO220AB
On-state resistance5 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge79nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time40ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO220AB; 40ns

Документация

Документ производителя