Антава

IXYS

Транзистор IXTP14N60X2

IXTP14N60X2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
14 A
Pulsed drain current
18 A
Power dissipation
180 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTP14N60X2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current14 A
Pulsed drain current18 A
Power dissipation180 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.25 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge16.7nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.