Антава

IXYS

Транзистор IXTP14N60P

IXTP14N60P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
14A
Power dissipation
300W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTP14N60P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current14A
Power dissipation300W
КорпусTO220AB
On-state resistance0.55Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge36nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time0.5µs
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO220AB; 500ns

Документация

Документ производителя