Антава

IXYS

Транзистор IXTP140N12T2

IXTP140N12T2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
120 V
Drain current
140 A
Power dissipation
577 W
Корпус
TO220AB

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяIXTP140N12T2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage120 V
Drain current140 A
Power dissipation577 W
КорпусTO220AB
On-state resistance10 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge174nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time65ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 140A; 577W; TO220AB; 65ns

Документация

Документ производителя