Антава

IXYS

Транзистор IXTP12N50PM

IXTP12N50PM
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
500 V
Drain current
6 A
Power dissipation
50 W
Корпус
TO220-3
Gate-source voltage
30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTP12N50PM
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage500 V
Drain current6 A
Power dissipation50 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage30 V
On-state resistance0.5 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge29nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time400ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 500V; 6A; 50W; TO220-3; 400ns

Документация

Документы пока не предоставлены.