Антава

IXYS

Транзистор IXTP120N20X4

IXTP120N20X4
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
X4-Class
Polarisation
N
Drain-source voltage
200 V
Drain current
120 A
Рассеиваемая мощность
417 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTP120N20X4
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияX4-Class
PolarisationN
Drain-source voltage200 V
Drain current120 A
Рассеиваемая мощность417 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage20 V
On-state resistance9.5 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge108nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time190ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; X4-Class; N; 200V; 120A; 417W; TO220-3; 190ns

Документация

Документы пока не предоставлены.