Антава

IXYS

Транзистор IXTP120N075T2

IXTP120N075T2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
75 V
Drain current
120 A
Power dissipation
250 W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTP120N075T2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage75 V
Drain current120 A
Power dissipation250 W
КорпусTO220AB
On-state resistance7.7 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge78nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time50ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 250W; TO220AB; 50ns

Документация

Документ производителя