Антава

IXYS

Транзистор IXTP120N04T2

IXTP120N04T2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40V
Drain current
120A
Power dissipation
200W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTP120N04T2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40V
Drain current120A
Power dissipation200W
КорпусTO220AB
On-state resistance6.1mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge58nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time35ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 200W; TO220AB; 35ns

Документация

Документ производителя