Антава

IXYS

Транзистор IXTP10P50P

IXTP10P50P
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
PolarP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-500 V
Drain current
-10 A
Рассеиваемая мощность
300 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 233 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 640,08 ₽

Сумма · с НДС 22%1 640,08 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 640,08 ₽
от 51 357,05 ₽
от 101 195,85 ₽
от 50871,58 ₽
от 100845,34 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXTP10P50P
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияPolarP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-500 V
Drain current-10 A
Рассеиваемая мощность300 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge50nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time414ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO220AB

Документация

Документ производителя