Антава

IXYS

Транзистор IXTP10P15T

IXTP10P15T
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-150 V
Drain current
-10 A
Power dissipation
83 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 8 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%472,97 ₽

Сумма · с НДС 22%472,97 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1472,97 ₽
от 10381,80 ₽
от 50288,72 ₽
от 100260,23 ₽
от 500245,03 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXTP10P15T
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-150 V
Drain current-10 A
Power dissipation83 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±15 V
On-state resistance0.35 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge36nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time120ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -10A; 83W; TO220AB

Документация

Документ производителя