Антава

IXYS

Транзистор IXTP10N60P

IXTP10N60P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
10 A
Power dissipation
200 W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTP10N60P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current10 A
Power dissipation200 W
КорпусTO220AB
On-state resistance0.74 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge32nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time0.5µs
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns

Документация

Документ производителя