Антава

IXYS

Транзистор IXTP100N04T2

IXTP100N04T2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
100 A
Power dissipation
150 W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 300 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%722,47 ₽

Сумма · с НДС 22%722,47 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1722,47 ₽
от 10452,74 ₽
от 50396,87 ₽
от 100367,98 ₽
от 250329,44 ₽
от 300319,81 ₽
от 500298,62 ₽
от 750281,28 ₽
от 1000267,79 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXTP100N04T2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current100 A
Power dissipation150 W
КорпусTO220AB
On-state resistance7 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time34ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns

Документация

Документ производителя