Антава

IXYS

Транзистор IXTP08N100P

IXTP08N100P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
0.8 A
Power dissipation
42 W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 245 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%496,45 ₽

Сумма · с НДС 22%496,45 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1496,45 ₽
от 3425,80 ₽
от 10341,79 ₽
от 50307,42 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXTP08N100P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1 kV
Drain current0.8 A
Power dissipation42 W
КорпусTO220AB
On-state resistance20 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time750ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO220AB; 750ns

Документация

Документ производителя