Антава

IXYS

Транзистор IXTP08N100D2

IXTP08N100D2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1kV
Drain current
0.8A
Power dissipation
60W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTP08N100D2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1kV
Drain current0.8A
Power dissipation60W
КорпусTO220AB
On-state resistance21Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge325nC
Kind of packagetube
Kind of channeldepletion
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO220AB

Документация

Документ производителя