Антава

IXYS

Транзистор IXTP05N100P

IXTP05N100P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
0.5 A
Power dissipation
50 W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTP05N100P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1 kV
Drain current0.5 A
Power dissipation50 W
КорпусTO220AB
On-state resistance30 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time750ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.5A; 50W; TO220AB; 750ns

Документация

Документ производителя