Антава

IXYS

Транзистор IXTP02N50D

IXTP02N50D
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
0.2 A
Power dissipation
25 W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTP02N50D
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current0.2 A
Power dissipation25 W
КорпусTO220AB
On-state resistance30 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.12µC
Kind of packagetube
Kind of channeldepletion
Reverse recovery time5ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.2A; 25W; TO220AB; 5ns

Документация

Документ производителя