Антава

IXYS

Транзистор IXTN80N30L2

IXTN80N30L2
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
single transistor
Drain-source voltage
300 V
Drain current
80 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTN80N30L2
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuresingle transistor
Drain-source voltage300 V
Drain current80 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Polarisationunipolar
On-state resistance38 mΩ
Pulsed drain current200 A
Power dissipation735 W
ТехнологияLinear L2™
Kind of channelenhancement
Gate charge660nC
Reverse recovery time485ns
Gate-source voltage±30 V
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; single transistor; 300V; 80A; SOT227B; screw; Idm: 200A

Документация

Документ производителя