Антава

IXYS

Транзистор IXTN200N10T

IXTN200N10T
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
single transistor
Drain-source voltage
100 V
Drain current
200 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTN200N10T
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuresingle transistor
Drain-source voltage100 V
Drain current200 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Polarisationunipolar
On-state resistance5.5 mΩ
Pulsed drain current500 A
Power dissipation550 W
ТехнологияTrenchMV™
Kind of channelenhancement
Gate charge152nC
Reverse recovery time76ns
Gate-source voltage±30 V
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; single transistor; 100V; 200A; SOT227B; screw; Idm: 500A

Документация

Документ производителя