Антава

IXYS

Транзистор IXTN17N120L

IXTN17N120L
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
single transistor
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
15 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяIXTN17N120L
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuresingle transistor
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current15 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Polarisationunipolar
On-state resistance0.9 Ω
Pulsed drain current34 A
Рассеиваемая мощность540 W
ТехнологияLinear™
Kind of channelenhancement
Gate charge155nC
Reverse recovery time1.83µs
Gate-source voltage±40 V
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; single transistor; 1.2kV; 15A; SOT227B; screw; Idm: 34A

Документация

Документ производителя