Антава

IXYS

Транзистор IXTN170P10P

IXTN170P10P
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
single transistor
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-170 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTN170P10P
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuresingle transistor
Drain-source voltage-100 V
Drain current-170 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Polarisationunipolar
On-state resistance14 mΩ
Pulsed drain current-510 A
Power dissipation890 W
ТехнологияPolarP™
Kind of channelenhancement
Gate charge240nC
Reverse recovery time176ns
Gate-source voltage±30 V
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; single transistor; -100V; -170A; SOT227B; screw; Idm: -510A

Документация

Документ производителя