Антава

IXYS

Транзистор IXTN120P20T

IXTN120P20T
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
single transistor
Drain-source voltage
-200 V
Drain current
-106 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTN120P20T
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuresingle transistor
Drain-source voltage-200 V
Drain current-106 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Polarisationunipolar
On-state resistance30 mΩ
Pulsed drain current-400 A
Power dissipation830 W
ТехнологияTrenchP™
Kind of channelenhancement
Gate charge740nC
Reverse recovery time300ns
Gate-source voltage±15 V
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; single transistor; -200V; -106A; SOT227B; screw; Idm: -400A

Документация

Документ производителя