Антава

IXYS

Транзистор IXTL2X180N10T

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Drain-source voltage
100 V
Drain current
100 A
Power dissipation
150 W
Gate-source voltage
20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTL2X180N10T
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Drain-source voltage100 V
Drain current100 A
Power dissipation150 W
Gate-source voltage20 V
On-state resistance9 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge151nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time60ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; 100V; 100A; 150W; 60ns

Документация

Документы пока не предоставлены.