Антава

IXYS

Транзистор IXTK90P20P

IXTK90P20P
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
PolarP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-200V
Drain current
-90A
Power dissipation
890W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTK90P20P
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyPolarP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-200V
Drain current-90A
Power dissipation890W
КорпусTO264
Gate-source voltage±20V
On-state resistance44mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge205nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time315ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264

Документация

Документ производителя