Антава

IXYS

Транзистор IXTK88N30P

IXTK88N30P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
PolarHT™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
300 V
Drain current
88 A
Power dissipation
600 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTK88N30P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPolarHT™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage300 V
Drain current88 A
Power dissipation600 W
КорпусTO264
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance40 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge180nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time250ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO264

Документация

Документ производителя