Антава

IXYS

Транзистор IXTK82N25P

IXTK82N25P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
PolarHT™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250 V
Drain current
82 A
Power dissipation
500 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTK82N25P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPolarHT™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250 V
Drain current82 A
Power dissipation500 W
КорпусTO264
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance38 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge142nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time200ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 82A; 500W; TO264

Документация

Документ производителя