Антава

IXYS

Транзистор IXTK60N50L2

IXTK60N50L2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500V
Drain current
60A
Power dissipation
960W
Корпус
TO264
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTK60N50L2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500V
Drain current60A
Power dissipation960W
КорпусTO264
On-state resistance0.1Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge610nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslinear power mosfet
Reverse recovery time980ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 60A; 960W; TO264; 980ns

Документация

Документ производителя