Антава

IXYS

Транзистор IXTK600N04T2

IXTK600N04T2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
600 A
Power dissipation
1.25 kW
Корпус
TO264
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTK600N04T2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current600 A
Power dissipation1.25 kW
КорпусTO264
On-state resistance1.5 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge590nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time100ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 600A; 1250W; TO264; 100ns

Документация

Документ производителя