Антава

IXYS

Транзистор IXTK5N250

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
2.5 kV
Drain current
5 A
Power dissipation
960 W
Корпус
TO264
Gate-source voltage
30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTK5N250
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage2.5 kV
Drain current5 A
Power dissipation960 W
КорпусTO264
Gate-source voltage30 V
On-state resistance8.8 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge200nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time1.2µs
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 2.5kV; 5A; 960W; TO264; 1.2us

Документация

Документы пока не предоставлены.