Антава

IXYS

Транзистор IXTK32P60P

IXTK32P60P
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
PolarP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-600 V
Drain current
-32 A
Power dissipation
890 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 202 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%3 821,77 ₽

Сумма · с НДС 22%3 821,77 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 13 821,77 ₽
от 103 295,62 ₽
от 253 189,24 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXTK32P60P
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияPolarP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-600 V
Drain current-32 A
Power dissipation890 W
КорпусTO264
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.35 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge196nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time480ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; TO264

Документация

Документ производителя