Антава

IXYS

Транзистор IXTK210P10T

IXTK210P10T
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
TrenchP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-210 A
Power dissipation
1.04 kW
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTK210P10T
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrenchP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-210 A
Power dissipation1.04 kW
КорпусTO264
Gate-source voltage±15 V
On-state resistance7.5 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge740nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time200ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W

Документация

Документ производителя